105年 - 105年司法三等電子學與電路學#55653

科目：1.電路學 2.電子學 | 年份：105年 | 選擇題數：0 | 申論題數：5

試卷資訊

所屬科目：1.電路學 2.電子學

選擇題 (0)

申論題 (5)

【已刪除】一、設圖一所示電路中，兩個二極體於VD = −4 kV逆偏壓下之逆向漏電流（reverse leakage current），分別為I _S1 = 20 mA與I _S2 = 25mA，試求R₁ = R₂ = 100 kΩ時之二極體上跨壓值V_D1與V_D2。（20 分）

【已刪除】二、圖二所示電路為具流控相依電壓源（ICVS dependent source）之雙網目電路，請運用網目分析法求取其中 I₁ 與 I₂ 電流值。（20 分)

【已刪除】三、圖三所示電路中，NMOS 場效電晶體之V_t = 2 V， 2 μ _nC_ox = 20 μA/V² ，L = 10 μm 與 W = 400 μm，試求可使 NMOS 場效電晶體操作於I _D = 0.576 mA及V_D = +1V下之R_s 與RD 電阻值。（通道長度調變效應可予忽略）（20 分）

【已刪除】四、試求圖四所示交流電路中，壓控相依電壓源上之瞬時功率。（20 分）

【已刪除】五、試求圖五所示電路之電壓增益轉移函數H(s)= V_out(s)/V_in(s) ，設電路中的運算放大器皆為理想元件。（20 分）